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UCC5350

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具有米勒钳位或分离输出以及 8V 或 12V UVLO 的 3kVrms、5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

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UCC5350

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990, 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990, 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D（4mm 爬电）和 DWV（8.5mm 爬电）封装
  • 60ns（典型值）传播延迟
  • 100kV/µs 最小 CMTI
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 33V
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级
    • 符合 GB4943.1-2011 D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
  • CMOS 输入
  • 工作温度：-40°C 至 +125°C
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D（4mm 爬电）和 DWV（8.5mm 爬电）封装
  • 60ns（典型值）传播延迟
  • 100kV/µs 最小 CMTI
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 33V
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级
    • 符合 GB4943.1-2011 D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
  • CMOS 输入
  • 工作温度：-40°C 至 +125°C

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列成为电机驱动器和工业电源的理想之选。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列成为电机驱动器和工业电源的理想之选。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。
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设计和开发

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评估板

UCC5320SCEVM-058 — UCC5320SC 隔离式栅极驱动器评估模块

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用户指南: PDF
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仿真模型

UCC5350MCD PSpice Transient Model (Rev. A)

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UCC5350MCD Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. A)

SLLM367A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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UCC5350SBD PSpice Transient Model

SLLM379.ZIP (53 KB) - PSpice Model
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UCC5350SBD Unencrypted PSpice Transient Model

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计算工具

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隔离式栅极驱动器
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参考设计

PMP23126 — 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB)，旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位，可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力，以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN，在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比，LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能，可在更宽的工作范围内保持 ZVS，从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行，可实现 97.74% 的峰值效率。
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参考设计

PMP23331 — 适用于服务器应用的 19W、5V 和 12V 交流/直流多输出、ZVS 反激式参考设计

此参考设计将通用交流输入转换为隔离式 12V、1.5A 输出和隔离式 5V、0.2A 输出。该设计可实现 92.7% 的峰值效率。此参考设计采用 UCC28781-Q1 零电压开关 (ZVS) 反激式控制器来最大限度降低开关损耗，采用 UCC5350 增强型隔离式栅极驱动器来驱动同步整流器 MOSFET，并采用 TPS629203 具有低静态电流的同步降压转换器。
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TIDA-01599 — 适用于工业驱动器且经过 TÜV SÜD 评估的安全转矩关闭 (STO) 参考设计 (IEC 61800-5-2)

此参考设计概述了具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器的三相逆变器中使用的安全转矩关闭 (STO) 子系统。该 STO 子系统采用双通道架构 (1oo2)，硬件容错能力为 1 (HFT=1)。它是按照失电跳闸概念实现的。当双路 STO 输入（STO_1 和 STO_2）变为低电平有效时，将通过负载开关切断六个隔离式 IGBT 栅极驱动器的初级侧和次级侧相应电源，从而停止控制电机并为其供电。此 STO 参考设计 (1oo2) 经过 TÜV SÜD 评估，通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat 3标准。
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参考设计

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此参考设计是一款具有功率因数校正 (PFC) 前端的 220W 有源钳位反激式电池充电器设计。此设计采用 90V 至 264V 的通用交流输入，并在 6V 至 22V 的 VOUT 范围内为电池充电。
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参考设计

TIDA-01420 — 适用于工业驱动器的基本隔离式三相紧凑型功率级参考设计

该用于工业驱动器的三相紧凑型功率级参考设计使用支持基本电容隔离要求的 UCC53xx 栅极驱动器，可通过光耦合器提供更长的使用寿命和更佳的传播延迟匹配，从而最大程度地减小逆变器死区失真和损耗。如果需要，可以在控制器之间使用另一级别的基本隔离，以在系统级别实现增强型隔离。该方法可优化系统的隔离成本并带来额外的紧凑优势。该设计还展示了栅极驱动器的互锁功能，该功能可以在击穿期间保护 IGBT。该参考设计使用 F28379 Delfino 控制卡生成 PWM 信号，用于控制三相逆变器。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian
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包含信息：
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
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