CSD75208W1015
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 1.5mm の WLP 封止、デュアル、コモン ソース、108mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD75208W1015
- Dual P-Channel MOSFETs
- Common Source Configuration
- Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
- Gate-Source Voltage Clamp
- Gate ESD Protection –3 kV
- Pb Free
- RoHS Compliant
- Halogen Free
This device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.
技術資料
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9 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 5月 16日 | ||
| アプリケーション・ノート | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024年 6月 14日 | |||
| アプリケーション・ノート | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024年 3月 25日 | |||
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023年 12月 18日 | |||
| アプリケーション・ノート | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023年 12月 14日 | |||
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |||
| アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |||
| その他の技術資料 | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||||
| アプリケーション・ノート | AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) | 2019年 6月 14日 |
設計および開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| DSBGA (YZC) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。