LM5050-1
- 標準バージョンと AEC-Q100 認定済みバージョンの LM5050Q0MK-1 (最高 TJ 150℃) と LM5050Q1MK-1 (最高 TJ 125℃) を提供
- 機能安全に対応
- 機能安全システム設計を支援するドキュメントを提供
- 広い動作入力電圧範囲、VIN:1V~75V (VIN < 5V の場合、VBIAS が必要)
- 100V の過渡性能
- 外部 N チャネル MOSFET 用のチャージ・ポンプ・ゲート・ドライバ
- 電流反転に対する 50ns の高速応答
- ピーク・ゲート・ターンオフ電流:2A
- 最小限の VDS クランプによる高速なターンオフ
- パッケージ:SOT-6 (薄型 SOT-23-6)
外部 MOSFET と組み合わせた LM5050-1/-Q1 ハイサイド OR FET コントローラは、電源と直列に接続した場合、理想ダイオード整流器として機能します。この OR コントローラによって、配電回路のダイオード整流器を MOSFET で置き換えることができるため、電力損失と電圧降下をともに低減できます。
LM5050-1/-Q1 コントローラは、外部 N チャネル MOSFET 用のチャージ・ポンプ・ゲート・ドライバと、電流が逆方向に流れた場合に FET をターンオフするための高速応答コンパレータを備えています。LM5050-1/-Q1 は 5V~75V の範囲の電源に接続でき、最高 100V の過渡電圧に耐えられます。
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技術資料
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ユーザー・ガイド | AN-2087 LM5050-1EVAL Evaluation Board (Rev. A) | 2013年 5月 6日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
LM5050MK-1EVAL — LM5050-1 評価ボード
The LM5050-1 evaluation board is designed to demonstrate the capabilities of the LM5050-1 OR-ing Diode Controller. One high side N-channel power MOSFET is used. The evaluation board is designed to highlight applications with a small solution size.
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LM5050-1 TINA-TI Transient Reference Design
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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SOT-23-THN (DDC) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
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推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。