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データシート
LM5109A
- ハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動
- ピーク出力電流1A（1.0Aシンク/1.0Aソース）
- 独立したTTL互換入力
- ブートストラップ電源電圧：108V DC
- 高速伝搬時間（標準30ns）
- 15nsの立ち上がり/立ち下がり時間で1000pFの負荷を駆動
- 優れた伝搬遅延マッチング（標準2ns）
- 電源レールの低電圧誤動作防止
- 低消費電力
- ISL6700とピン・コンパチブル
- 業界標準のSOIC-8および放熱特性の優れたWSON-8パッケージ
アプリケーション
- 電流供給プッシュプル・コンバータ
- ハーフ/フルブリッジのパワー・コンバータ
- ソリッド・ステート・モーター・ドライブ
- 2スイッチのフォワード・パワー・コンバータ
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LM5109Aは、同期降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動するよう設計された、コスト効率の優れた高電圧ゲート・ドライバです。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大90Vのレール電圧で動作できます。各出力は、TTL互換の入力スレッショルドによって独立に制御されます。堅牢なレベル・シフト技術により、消費電力を抑えながら高速で動作し、制御入力ロジックからハイサイド・ゲート・ドライバへのクリーンなレベル遷移を実現します。ローサイドとハイサイド両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能が搭載されています。このデバイスは、SOICパッケージ、および熱特性を強化したWSONパッケージで供給されます。
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技術資料
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7 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LM5109A、高電圧、1Aピーク、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ データシート (Rev. C 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2016年 10月 20日 |
| アプリケーション概要 | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
| アプリケーション概要 | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
| その他の技術資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| アプリケーション・ノート | AN-1317 Selection of External Bootstrap Diode for LM510X Devices (Rev. B) | 2018年 5月 4日 | ||||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | AN-1299 LM5041 Evaluation Board (Rev. A) | 2013年 5月 6日 | ||||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | AN-1331 LM5033 Evaluation Board (Rev. A) | 2013年 5月 6日 |
設計および開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (NGT) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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