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LM5122ZA

アクティブ

マルチフェーズ機能搭載、3 ~ 65V の広い入力電圧範囲 (VIN)、電流モード、同期整流昇圧コントローラ

製品詳細

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Control mode current mode Topology Boost, Flyback, Forward, SEPIC Rating Catalog Vout (min) (V) 3 Vout (max) (V) 100 Features Enable, Frequency synchronization, Phase Interleaving, Synchronous Rectification, UVLO adjustable Iq (typ) (µA) 4000 Duty cycle (max) (%) 100
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HTSSOP (PWP) 24 49.92 mm² 7.8 x 6.4
  • 最大入力電圧: 65V
  • 最小入力電圧: 3V (スタートアップ時は4.5V)
  • 出力電圧: 最大100V
  • バイパス(VOUT = VIN)動作
  • 1.2V、±1%精度の基準電圧
  • フリーランと、1MHzまでの同期スイッチング
  • ピーク電流モード制御
  • 堅牢な3Aの内蔵ゲート・ドライバ
  • アダプティブ・デッドタイム制御
  • オプションのダイオード・エミュレーション・モード
  • サイクル単位の電流制限をプログラム可能
  • ヒカップ・モードの過負荷保護
  • ラインUVLOをプログラム可能
  • ソフトスタートをプログラム可能
  • サーマル・シャットダウン保護機能
  • シャットダウン時の低い静止電流: 9µA
  • スロープ補償をプログラム可能
  • スキップ・サイクル・モードをプログラム可能で、スタンバイ電力を削減
  • 外部VCC電源に対応
  • インダクタDCR電流センシング機能
  • マルチフェーズ機能
  • 放熱特性の優れた24ピンHTSSOP
  • 最大入力電圧: 65V
  • 最小入力電圧: 3V (スタートアップ時は4.5V)
  • 出力電圧: 最大100V
  • バイパス(VOUT = VIN)動作
  • 1.2V、±1%精度の基準電圧
  • フリーランと、1MHzまでの同期スイッチング
  • ピーク電流モード制御
  • 堅牢な3Aの内蔵ゲート・ドライバ
  • アダプティブ・デッドタイム制御
  • オプションのダイオード・エミュレーション・モード
  • サイクル単位の電流制限をプログラム可能
  • ヒカップ・モードの過負荷保護
  • ラインUVLOをプログラム可能
  • ソフトスタートをプログラム可能
  • サーマル・シャットダウン保護機能
  • シャットダウン時の低い静止電流: 9µA
  • スロープ補償をプログラム可能
  • スキップ・サイクル・モードをプログラム可能で、スタンバイ電力を削減
  • 外部VCC電源に対応
  • インダクタDCR電流センシング機能
  • マルチフェーズ機能
  • 放熱特性の優れた24ピンHTSSOP

LM5122ZAはマルチフェーズが可能な同期整流昇圧コントローラで、高効率の同期整流昇圧レギュレータ用途を意図しています。制御方式は、ピーク電流モード制御を基礎としています。電流モード制御は性質上、ラインのフィードフォワードと、サイクル単位の電流制限が可能で、ループ補償が簡単です。

スイッチング周波数は最高1MHzにプログラム可能です。2つの堅牢なNチャネルMOSFETゲート・ドライバと、アダプティブ・デッドタイム制御により、より高い効率を実現できます。また、ダイオード・エミュレーション・モードをユーザーが選択可能で、不連続モードの動作が可能になり、軽負荷状況で効率が向上します。

内部チャージ・ポンプにより、ハイサイド同期スイッチの100%デューティ・サイクルが可能です(バイパス動作)。180°フェーズ・シフトされたクロック出力により、マルチフェーズのインターリーブ構成を簡単に実現できます。その他、サーマル・シャットダウン、周波数同期、ヒカップ・モード電流制限、可変のライン低電圧誤動作防止などの機能があります。

LM5122ZAはマルチフェーズが可能な同期整流昇圧コントローラで、高効率の同期整流昇圧レギュレータ用途を意図しています。制御方式は、ピーク電流モード制御を基礎としています。電流モード制御は性質上、ラインのフィードフォワードと、サイクル単位の電流制限が可能で、ループ補償が簡単です。

スイッチング周波数は最高1MHzにプログラム可能です。2つの堅牢なNチャネルMOSFETゲート・ドライバと、アダプティブ・デッドタイム制御により、より高い効率を実現できます。また、ダイオード・エミュレーション・モードをユーザーが選択可能で、不連続モードの動作が可能になり、軽負荷状況で効率が向上します。

内部チャージ・ポンプにより、ハイサイド同期スイッチの100%デューティ・サイクルが可能です(バイパス動作)。180°フェーズ・シフトされたクロック出力により、マルチフェーズのインターリーブ構成を簡単に実現できます。その他、サーマル・シャットダウン、周波数同期、ヒカップ・モード電流制限、可変のライン低電圧誤動作防止などの機能があります。

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技術資料

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設計および開発

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購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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