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7V ~ 26V、ハイサイド保護コントローラ

製品詳細

FET External Vin (min) (V) 7 Vin (max) (V) 26 Vabsmax_cont (V) 60 Current limit (min) (A) 0.01 Current limit (max) (A) 500 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Latch-off Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Rating Catalog Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -40 to 125 Function Inductive load compatibility, Overvoltage protection Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.005 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.005
FET External Vin (min) (V) 7 Vin (max) (V) 26 Vabsmax_cont (V) 60 Current limit (min) (A) 0.01 Current limit (max) (A) 500 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Latch-off Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Rating Catalog Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -40 to 125 Function Inductive load compatibility, Overvoltage protection Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.005 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.005
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Withstands 60-V Supply Transients
  • Overvoltage Shut-OFF With VCC > 30 V
  • Lossless Overcurrent Protection Latch-OFF
    • Current Sense Resistor is Not Required
    • Minimizes Power Loss With High Current Loads
  • Programmable Delay of Protection Latch-OFF
  • Gradual Turnoff to Minimize Inductive Load Transient Voltages
  • CMOS Logic-Compatible ON and OFF Control Input
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Withstands 60-V Supply Transients
  • Overvoltage Shut-OFF With VCC > 30 V
  • Lossless Overcurrent Protection Latch-OFF
    • Current Sense Resistor is Not Required
    • Minimizes Power Loss With High Current Loads
  • Programmable Delay of Protection Latch-OFF
  • Gradual Turnoff to Minimize Inductive Load Transient Voltages
  • CMOS Logic-Compatible ON and OFF Control Input

The LM9061 family consists of charge-pump devices which provides the gate drive to an external power MOSFET of any size configured as a high-side driver or switch. This includes multiple parallel connected MOSFETs for very high current applications. A CMOS logic-compatible ON and OFF input controls the output gate drive voltage. In the ON state, the charge pump voltage, which is well above the available VCC supply, is directly applied to the gate of the MOSFET. A built-in 15-V Zener clamps the maximum gate to source voltage of the MOSFET. When commanded OFF a 110-µA current sink discharges the gate capacitances of the MOSFET for a gradual turnoff characteristic to minimize the duration of inductive load transient voltages and further protect the power MOSFET.

Lossless protection of the power MOSFET is a key feature of the LM9061. The voltage drop (VDS) across the power device is continually monitored and compared against an externally programmable threshold voltage. A small current-sensing resistor in series with the load, which causes a loss of available energy, is not required for the protection circuitry. If the VDS voltage, due to excessive load current, exceeds the threshold voltage, the output is latched OFF in a more gradual fashion (through a 10-µA output current sink) after a programmable delay time interval.

The LM9061 family consists of charge-pump devices which provides the gate drive to an external power MOSFET of any size configured as a high-side driver or switch. This includes multiple parallel connected MOSFETs for very high current applications. A CMOS logic-compatible ON and OFF input controls the output gate drive voltage. In the ON state, the charge pump voltage, which is well above the available VCC supply, is directly applied to the gate of the MOSFET. A built-in 15-V Zener clamps the maximum gate to source voltage of the MOSFET. When commanded OFF a 110-µA current sink discharges the gate capacitances of the MOSFET for a gradual turnoff characteristic to minimize the duration of inductive load transient voltages and further protect the power MOSFET.

Lossless protection of the power MOSFET is a key feature of the LM9061. The voltage drop (VDS) across the power device is continually monitored and compared against an externally programmable threshold voltage. A small current-sensing resistor in series with the load, which causes a loss of available energy, is not required for the protection circuitry. If the VDS voltage, due to excessive load current, exceeds the threshold voltage, the output is latched OFF in a more gradual fashion (through a 10-µA output current sink) after a programmable delay time interval.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LM9061 and LM9061-Q1 High-Side Protection Controller データシート (Rev. I) PDF | HTML 2017年 1月 4日
e-Book(PDF) 11 Ways to Protect Your Power Path(英語) 英語版 2020年 10月 30日
EVM ユーザー ガイド (英語) LM9061 High-Side Protection Controller EVM 2014年 11月 7日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LM9061EVM — LM9061EVM ハイサイド保護コントローラ、評価モジュール

The LM9061EVM evaluation module demonstrates high-side protection to a connected load from over-current and over-voltage conditions.  An ON/OFF input controls the gate drive to a high-side MOSFET. Over-current protection is performed by monitoring the voltage drop (VDS) across the MOSFET, which is (...)

ユーザー ガイド: PDF
計算ツール

TVS-RECOMMENDATION-CALC TVS diode recommendation tool

This tool suggests suitable TVS for given system parameters and abs max voltage rating of the device.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

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リファレンス・デザイン

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TIDA-00296 は、ハイサイドおよびローサイド向けの TI 製リレー・ドライバ、モーター・ドライバ、負荷ドライバの特性を明確にするリファレンス・デザインです。このデザインで使用する負荷(ドア・ロック、パワー・ウィンドウ、シート・ヒーター、HVAC(暖房、換気、空調)、ランプ、LED)は、BCM(ボディ・コントロール・モジュール)が駆動できる多様な負荷を示し、TI のソリューションがそれらの分野にどのような形で適用できるかを明らかにする目的で選択したものです。
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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