LMG1205
- ハイサイドとローサイドで独立した TTL ロジック入力
- ピーク・ソース 1.2A、シンク電流 5A
- ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは 最高 DC 100V で動作可能
- 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
- 出力の分割により、ターンオンおよび ターンオフの強度を調整可能
- プルダウン 0.6Ω、プルアップ 2.1Ω の抵抗
- 短い伝播遅延 (標準値 35ns)
- 優れた伝搬遅延マッチング (標準値 1.5ns)
- 電源レールの低電圧誤動作防止
- 低消費電力
LMG1205 は、同期整流降圧、昇圧、またはハーフブリッジ構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム (GaN) FET を駆動できるように設計されています。このデバイスには 100V のブートストラップ・ダイオード、およびハイサイドとローサイド出力用に独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧はブートストラップ技法を使用して生成され、内部で 5V にクランプされます。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モード GaN FET の最大ゲート・ソース電圧定格を超過しなくなります。LMG1205 の入力は TTL ロジック互換で、VDD 電圧に関係なく最大 14V の入力電圧に耐えることができます。LMG1205 には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。
さらに、LM1205 の強力なシンク能力によりゲートが LOW 状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LMG1205 の最大動作周波数は数 MHz です。LMG1205 は、占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化された、12 ピンの DSBGA パッケージで供給されます。
技術資料
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMG1205 ブートストラップ・ダイオード内蔵の 80V、1.2A～5A、ハーフ・ブリッジ GaN ドライバ データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 5月 1日 |
| アプリケーション・ノート | Implementing Bootstrap Overcharge Prevention in GaN Half-bridge Circuits | PDF | HTML | 2023年 11月 15日 | |||
| アプリケーション概要 | Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs | PDF | HTML | 2022年 8月 4日 | |||
| アプリケーション概要 | Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors | PDF | HTML | 2022年 8月 4日 | |||
| アプリケーション概要 | How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies | PDF | HTML | 2022年 8月 2日 | |||
| アプリケーション概要 | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
| アプリケーション概要 | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
| ホワイト・ペーパー | Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A) | 2018年 11月 27日 | ||||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | Using the LMG1205HBEVM | 2017年 3月 22日 |
設計および開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
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購入と品質
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