LMG3616 は、スイッチ モード電源アプリケーション向けの 650V 270mΩ GaN パワー FET です。LMG3616 は、8mm × 5.3mm の QFN パッケージに GaN FET とゲート ドライバを内蔵することで、設計の簡素化と部品点数の削減を実現しています。
プログラマブルなターンオン スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。
LMG3616 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、過熱保護が搭載されています。過熱保護は、オープン ドレインの FLT ピンで通知されます。
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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| * | データシート | LMG3616 650V 270 mΩ GaN FET、ドライバを内蔵 データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2023年 5月 19日 |
| 技術記事 | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 2024年 1月 30日 | |||
| 製品概要 | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 2023年 11月 28日 |
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LMG3626EVM-074 評価基板 (EVM) は、電流センス エミュレーション機能を搭載した統合型 GaN FET である LMG3626 を使用し、65W USB Type-C® PD (パワー デリバリ) に対応するオフライン アダプタに適した高効率と高密度の回路を提示します。入力は、90Vac ～ 265Vac のユニバーサル範囲に対応し、単一出力は 5V、9V、15V のいずれかに設定でき、どの場合も最大 3A を供給できます。また、20V で最大 3.25A を供給することもできます。USB PD インターフェイス コントローラによる制御が可能です。公称で最大 (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use of LMG36XX integrated GaN FET.
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