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TLVM13660

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5mm x 5.5mm Enhanced HotRod™ QFN 封止、36V 入力、1V ～ 6V 出力、6A 降圧パワー・モジュール

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製品詳細

Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Capable Topology Buck, Inverting Buck-Boost, Synchronous Buck Type Module Iout (max) (A) 6 Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 36 Vout (min) (V) 1 Vout (max) (V) 6 Switching frequency (min) (kHz) 200 Switching frequency (max) (kHz) 2200 EMI features Integrated capacitors, Low parasitic Hotrod packaging Features EMI Tested, Enable, Overcurrent protection, Power good Control mode current mode Duty cycle (max) (%) 98
Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Capable Topology Buck, Inverting Buck-Boost, Synchronous Buck Type Module Iout (max) (A) 6 Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 36 Vout (min) (V) 1 Vout (max) (V) 6 Switching frequency (min) (kHz) 200 Switching frequency (max) (kHz) 2200 EMI features Integrated capacitors, Low parasitic Hotrod packaging Features EMI Tested, Enable, Overcurrent protection, Power good Control mode current mode Duty cycle (max) (%) 98
B3QFN (RDL) 20 27.5 mm² 5.5 x 5
  • 用途の広い 同期整流式降圧 DC/DC パワー・モジュール
    • MOSFET、インダクタ、コントローラを内蔵
    • 広い入力電圧範囲：3V～36V
    • 出力電圧を調整可能 1V～ 6V、温度範囲全体にわたってセットポイント精度 1%
    • 5.0mm × 5.5mm × 4mm のオーバーモールド・パッケージ
    • –40℃～125℃の接合部温度範囲
    • 200kHz～2.2MHz の範囲で周波数を調整可能
    • 負電圧出力に対応可能
  • 全負荷範囲にわたって極めて高い効率を実現
    • 95% 以上のピーク効率
    • 外部バイアス・オプションによる効率向上
    • シャットダウン時静止電流：0.6µA (標準値)
    • 6A 負荷でのドロップアウト電圧：0.8V (標準値)
  • 非常に小さい伝導および放射 EMI シグネチャ
    • デュアル入力パスと内蔵コンデンサを備えた低ノイズ・パッケージにより、スイッチのリンギングが減少
    • 抵抗により調整可能なスイッチ・ノードのスルーレート
    • 固定周波数 FPWM 動作モード
    • CISPR 11 および 32 Class B の放射規格に準拠
  • スケーラブルな電源に好適
  • 堅牢な設計のための本質的な保護機能
    • 高精度のイネーブル入力とオープン・ドレインの PGOOD インジケータによるシーケンシング、制御、VIN UVLO
    • 過電流およびサーマル・シャットダウン保護機能
  • WEBENCH Power Designer により、 TLVM13660 を使用するカスタム設計を作成
  • 用途の広い 同期整流式降圧 DC/DC パワー・モジュール
    • MOSFET、インダクタ、コントローラを内蔵
    • 広い入力電圧範囲：3V～36V
    • 出力電圧を調整可能 1V～ 6V、温度範囲全体にわたってセットポイント精度 1%
    • 5.0mm × 5.5mm × 4mm のオーバーモールド・パッケージ
    • –40℃～125℃の接合部温度範囲
    • 200kHz～2.2MHz の範囲で周波数を調整可能
    • 負電圧出力に対応可能
  • 全負荷範囲にわたって極めて高い効率を実現
    • 95% 以上のピーク効率
    • 外部バイアス・オプションによる効率向上
    • シャットダウン時静止電流：0.6µA (標準値)
    • 6A 負荷でのドロップアウト電圧：0.8V (標準値)
  • 非常に小さい伝導および放射 EMI シグネチャ
    • デュアル入力パスと内蔵コンデンサを備えた低ノイズ・パッケージにより、スイッチのリンギングが減少
    • 抵抗により調整可能なスイッチ・ノードのスルーレート
    • 固定周波数 FPWM 動作モード
    • CISPR 11 および 32 Class B の放射規格に準拠
  • スケーラブルな電源に好適
  • 堅牢な設計のための本質的な保護機能
    • 高精度のイネーブル入力とオープン・ドレインの PGOOD インジケータによるシーケンシング、制御、VIN UVLO
    • 過電流およびサーマル・シャットダウン保護機能
  • WEBENCH Power Designer により、 TLVM13660 を使用するカスタム設計を作成

同期整流式降圧モジュール・ファミリから派生した TLVM13660 は、パワー MOSFET、シールド付きインダクタ、受動部品を Enhanced HotRod™ QFN パッケージに実装した高集積 36V、 6A DC/DC ソリューションです。このモジュールは、VIN および VOUT ピンをパッケージの角に配置し、入力および出力コンデンサの配置を最適化しています。モジュールの下面には大きな 4 つのサーマル・パッドがあるため、単純なレイアウトが可能で、製造時の扱いも容易です。

出力電圧 範囲が 1V～ 6V であるため、 TLVM13660 は小さな PCB フットプリントで低 EMI の設計を迅速かつ容易に実装できるよう設計されています。このトータル・ソリューションを使用すると、外付け部品はわずか 4 個で済み、設計プロセスで磁気および補償のための部品選択も不要です。

TLVM13660 モジュールは、スペースが制約される用途での小型化と簡素化をめざして設計されているだけでなく、堅牢性の高い性能を実現するためのさまざまな機能を備えています。その例としては、可変入力電圧 UVLO 用のヒステリシス付き高精度イネーブル、抵抗を使ってプログラム可能なスイッチ・ノードのスルーレートによる EMI 改善、内蔵 VCC、ブートストラップおよび入力コンデンサによる信頼性向上と高密度化、全負荷電流範囲にわたって一定のスイッチング周波数、 負電圧出力能力、シーケンシング、障害保護、出力電圧監視用の PGOOD インジケータがあります。

同期整流式降圧モジュール・ファミリから派生した TLVM13660 は、パワー MOSFET、シールド付きインダクタ、受動部品を Enhanced HotRod™ QFN パッケージに実装した高集積 36V、 6A DC/DC ソリューションです。このモジュールは、VIN および VOUT ピンをパッケージの角に配置し、入力および出力コンデンサの配置を最適化しています。モジュールの下面には大きな 4 つのサーマル・パッドがあるため、単純なレイアウトが可能で、製造時の扱いも容易です。

出力電圧 範囲が 1V～ 6V であるため、 TLVM13660 は小さな PCB フットプリントで低 EMI の設計を迅速かつ容易に実装できるよう設計されています。このトータル・ソリューションを使用すると、外付け部品はわずか 4 個で済み、設計プロセスで磁気および補償のための部品選択も不要です。

TLVM13660 モジュールは、スペースが制約される用途での小型化と簡素化をめざして設計されているだけでなく、堅牢性の高い性能を実現するためのさまざまな機能を備えています。その例としては、可変入力電圧 UVLO 用のヒステリシス付き高精度イネーブル、抵抗を使ってプログラム可能なスイッチ・ノードのスルーレートによる EMI 改善、内蔵 VCC、ブートストラップおよび入力コンデンサによる信頼性向上と高密度化、全負荷電流範囲にわたって一定のスイッチング周波数、 負電圧出力能力、シーケンシング、障害保護、出力電圧監視用の PGOOD インジケータがあります。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TLVM13660 高密度、3V～36V 入力、1V～6V 出力、6A 同期整流式降圧 DC/DC パワー・モジュール、Enhanced HotRod™ QFN パッケージ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021年 9月 15日
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証明書 TLVM13660EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 3月 6日

設計および開発

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評価ボード

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サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
パワー モジュール (インダクタ内蔵)
TLVM13620 — 4mm x 6mm x 1.8mm パッケージ封止、3.6V ～ 36V 入力、1V ～ 6V 出力、2A 降圧モジュール TLVM13630 — 高密度、3V ～ 36V 入力、1V ～ 6V 出力、3A 降圧パワー・モジュール TLVM13660 — 5mm x 5.5mm Enhanced HotRod™ QFN 封止、36V 入力、1V ～ 6V 出力、6A 降圧パワー・モジュール
ハードウェア開発
評価ボード
TLVM13660EVM — TLVM13660 3V ～ 36V 入力、1V ～ 6V 出力、6A パワー・モジュールの評価基板 TLVM13630EVM — TLVM13630 3V～36V入力、1V～6V、3A出力電源モジュールの評価基板
ダウンロード
計算ツール

TLVM136X0DESIGN-CALC — TLVM136X0 ファミリのパワー モジュール向けクイック スタート カリキュレータ デザイン ツール

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ユーザー ガイド: PDF | HTML
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PCB レイアウト

TLVM13660EVM PCB Layout Files

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
B3QFN (RDL) 20 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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