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TPS7H2211-SP

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耐放射線特性、QMLV と QMLP、4.5V ～ 14V 入力、3.5A eFuse

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TPS7H2211-SP

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製品詳細

FET Internal Ron (typ) (mΩ) 54 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 14 Vabsmax_cont (V) 16 Overcurrent response Circuit breaker Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Function Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008
FET Internal Ron (typ) (mΩ) 54 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 14 Vabsmax_cont (V) 16 Overcurrent response Circuit breaker Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Function Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008
CFP (HKR) 16 105.6 mm² 11 x 9.6 DIESALE (KGD) — See data sheet HTSSOP (DAP) 32 89.1 mm² 11 x 8.1
  • 100krad (Si) まで、累積線量 (TID) 特性を評価済み
    • 放射線耐性保証 (RHA)：100krad(Si)
  • シングル イベント効果 (SEE) の特性
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の線エネルギー付与 (LET) に対する耐性= 75MeV-cm2/mg*
    • シングル イベント機能割り込み (SEFI) およびシングル イベント過渡 (SET) の LET に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg*
  • シングル チャネル eFuse を内蔵
  • 入力電圧範囲：4.5V～14V
  • 低いオン抵抗 (RON)：25℃、VIN = 12V で最大値 60mΩ
  • 最大連続スイッチ電流：3.5A
  • 制御入力スレッショルドが低いため、 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V ロジックを使用可能
  • 立ち上がり時間を設定可能 (ソフト スタート)
  • 逆電流保護 (RCP)
  • 過電圧保護 (OVP)
  • 内部電流制限 (ファスト トリップ)
  • サーマル シャットダウン
  • サーマル パッド付きのセラミックおよびプラスチック パッケージ
  • 軍用温度範囲 (–55℃～125℃) を供給可能
  • 100krad (Si) まで、累積線量 (TID) 特性を評価済み
    • 放射線耐性保証 (RHA)：100krad(Si)
  • シングル イベント効果 (SEE) の特性
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の線エネルギー付与 (LET) に対する耐性= 75MeV-cm2/mg*
    • シングル イベント機能割り込み (SEFI) およびシングル イベント過渡 (SET) の LET に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg*
  • シングル チャネル eFuse を内蔵
  • 入力電圧範囲：4.5V～14V
  • 低いオン抵抗 (RON)：25℃、VIN = 12V で最大値 60mΩ
  • 最大連続スイッチ電流：3.5A
  • 制御入力スレッショルドが低いため、 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V ロジックを使用可能
  • 立ち上がり時間を設定可能 (ソフト スタート)
  • 逆電流保護 (RCP)
  • 過電圧保護 (OVP)
  • 内部電流制限 (ファスト トリップ)
  • サーマル シャットダウン
  • サーマル パッド付きのセラミックおよびプラスチック パッケージ
  • 軍用温度範囲 (–55℃～125℃) を供給可能

TPS7H2211 は、シングル チャネル eFuse (追加機能付き FET ロード スイッチを内蔵) で、逆電流保護、過電圧保護を備え、突入電流を最小化するために立ち上がり時間が設定可能な、ソフト スタートになっています。このデバイスは、4.5V～14V の入力電圧範囲で動作し、最大 3.5A の連続電流をサポートする P チャネル MOSFET を内蔵しています。

このスイッチは、オン オフ入力 (EN) により制御され、低電圧の制御信号と直接接続可能です。過電圧保護およびソフト スタートは、OVP および SS ピンを使って、少数の外付け部品でプログラム可能です。TPS7H2211 は、放熱性能向上のための露出したサーマル パッド付きセラミックおよび樹脂製パッケージで供給されます。QML 5962R1822001VXCでは、SMD (Standard Microcircuit Drawing) を利用できます。-SEP バリアント V62/23609 では、VID (Vendor Item Drawing) を利用できます。

TPS7H2211 は、シングル チャネル eFuse (追加機能付き FET ロード スイッチを内蔵) で、逆電流保護、過電圧保護を備え、突入電流を最小化するために立ち上がり時間が設定可能な、ソフト スタートになっています。このデバイスは、4.5V～14V の入力電圧範囲で動作し、最大 3.5A の連続電流をサポートする P チャネル MOSFET を内蔵しています。

このスイッチは、オン オフ入力 (EN) により制御され、低電圧の制御信号と直接接続可能です。過電圧保護およびソフト スタートは、OVP および SS ピンを使って、少数の外付け部品でプログラム可能です。TPS7H2211 は、放熱性能向上のための露出したサーマル パッド付きセラミックおよび樹脂製パッケージで供給されます。QML 5962R1822001VXCでは、SMD (Standard Microcircuit Drawing) を利用できます。-SEP バリアント V62/23609 では、VID (Vendor Item Drawing) を利用できます。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS7H2211-SP および TPS7H2211-SEP 放射線耐性保証 (RHA)、 14V、3.5A eFuse データシート (Rev. F 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.F) PDF | HTML 2024年 3月 27日
* 放射線と信頼性レポート Single-Event-Effects Test Report of the TPS7H2211-SP Load Switch (Rev. A) 2023年 12月 6日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H2211-QMLP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report PDF | HTML 2023年 12月 6日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H2211-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization 2021年 11月 8日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H2211-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 2021年 10月 18日
* SMD TPS7H2211-SP SMD 5962-18220 2021年 9月 2日
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設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS7H2211EVM — 宇宙用エンハンスド製品、4.5V ～ 14V 入力、3.5A ロード スイッチと eFuse の評価基板

TPS7H2211EVM は、宇宙用エンハンスド製品であるシングル eFuse TPS7H2211 の動作を提示します。このボードは、追加の部品を実装するためのフットプリントを確保しており、並列または冗長の eFuse など、カスタマイズ構成のテストに使用できます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
評価ボード

TPS7H2211EVM-CVAL — TPS7H2211-SP 4.5V ～ 14V 入力、3.5A ロード・スイッチおよび eFuse の評価基板

TPS7H2211EVM-CVAL は、TPS7H2211-SP 向けの評価基板 (EVM) です。この基板はロード・スイッチの動作を可能にするほか、搭載済みの逆電流保護機能と過電圧保護機能をテストすることができます。また、立ち上がり時間が構成可能なので、TPS7H2211-SP の突入電流を最小化 (ソフト・スタート) できます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

TPS7H2211-SP PSpice Transient Model

SLVMDN6.ZIP (27 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

TPS7H2211-SP PSpice Worst-Case Analysis (WCA) Model

SLVMDQ4.ZIP (24 KB) - PSpice Model
ダウンロード
計算ツール

TVS-RECOMMENDATION-CALC — TVS diode recommendation tool

This tool suggests suitable TVS for given system parameters and abs max voltage rating of the device.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

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サポート状況を確認するには、製品の詳細ページをご覧ください。
ダウンロード
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リクエスト
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
CFP (HKR) 16 Ultra Librarian
DIESALE (KGD) —
HTSSOP (DAP) 32 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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