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TPSI2140-Q1

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車載対応、2mA のアバランシェ定格、1,200V、50mA、絶縁型スイッチ

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TPSI2140-Q1

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製品詳細

Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Imax (A) 0.05 Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 Turnon time (enable) (ns) 70000 Turnoff time (disable) (ns) 100000 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Rating Automotive Isolation rating Basic CMTI (min) (kV/µs) 100 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5300 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Imax (A) 0.05 Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 Turnon time (enable) (ns) 70000 Turnoff time (disable) (ns) 100000 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Rating Automotive Isolation rating Basic CMTI (min) (kV/µs) 100 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5300 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 車載アプリケーション用に認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1：-40～125℃、T A
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • システム・レベルの誘電体耐性試験 (Hi-Pot) を含む、過電圧条件下での信頼性を考慮した設計および認定
      • I AVA = 5 秒パルスで 2mA、60 秒パルスで 1mA
    • 1200V のスタンドオフ電圧
    • R ON = 130Ω (T J = 25℃)
    • T ON、T OFF < 700µs
  • Low 1 次側消費電流
    • オン状態電流：9mA
    • オフ状態電流：3.5µA
  • 機能安全対応
  • 堅牢な絶縁バリア：
    • 1000V RMS/1500V DC の動作電圧で 26 年以上の予測寿命
    • 絶縁定格、V ISO、最大 3750V RMS/5300V DC
    • ピーク・サージ、V IOSM、最大 5000V
    • CMTI：±100V/ns (標準値)
  • 熱性能を向上させるワイドピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離：8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離： 6mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連認証
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01 (計画中)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)
  • 車載アプリケーション用に認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1：-40～125℃、T A
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • システム・レベルの誘電体耐性試験 (Hi-Pot) を含む、過電圧条件下での信頼性を考慮した設計および認定
      • I AVA = 5 秒パルスで 2mA、60 秒パルスで 1mA
    • 1200V のスタンドオフ電圧
    • R ON = 130Ω (T J = 25℃)
    • T ON、T OFF < 700µs
  • Low 1 次側消費電流
    • オン状態電流：9mA
    • オフ状態電流：3.5µA
  • 機能安全対応
  • 堅牢な絶縁バリア：
    • 1000V RMS/1500V DC の動作電圧で 26 年以上の予測寿命
    • 絶縁定格、V ISO、最大 3750V RMS/5300V DC
    • ピーク・サージ、V IOSM、最大 5000V
    • CMTI：±100V/ns (標準値)
  • 熱性能を向上させるワイドピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離：8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離： 6mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連認証
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01 (計画中)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)

TPSI2140-Q1 は、 高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。 TPSI2140-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給され、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐ フェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 5V～20V のシステム電源に接続する必要があり、デバイスの EN ピンを 2.1V～20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDD ピンと EN ピンは、直接システム電源から、または GPIO 出力から一緒に駆動することができます。 TPSI2140-Q1 のすべての制御構成では、フォトリレー・ソリューションで一般的に必要とされる抵抗やローサイド・スイッチなどの追加の外部コンポーネントは必要ありません。

2 次側は双方向 MOSFET で構成されており、 S1 から S2 へのスタンドオフ電圧は、 ±1.2kV となっています。 TPSI2140-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部コンポーネントを必要とせずに、システム・レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 2mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

TPSI2140-Q1 は、 高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。 TPSI2140-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給され、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐ フェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 5V～20V のシステム電源に接続する必要があり、デバイスの EN ピンを 2.1V～20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDD ピンと EN ピンは、直接システム電源から、または GPIO 出力から一緒に駆動することができます。 TPSI2140-Q1 のすべての制御構成では、フォトリレー・ソリューションで一般的に必要とされる抵抗やローサイド・スイッチなどの追加の外部コンポーネントは必要ありません。

2 次側は双方向 MOSFET で構成されており、 S1 から S2 へのスタンドオフ電圧は、 ±1.2kV となっています。 TPSI2140-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部コンポーネントを必要とせずに、システム・レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 2mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。
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技術資料

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* データシート TPSI2140-Q1 1200V、50mA、車載用絶縁スイッチ、アバランシェ定格 2mA データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 7月 11日
アプリケーション概要 Implementing an Isolated Switch for Relay Welding Detection PDF | HTML 2024年 8月 15日
アプリケーション・ノート Basics of Solid-State Relays PDF | HTML 2024年 7月 24日
ホワイト・ペーパー より安全で、よりスマートで、よりコネクテッドなバッテリ管理システムの設計 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 4月 15日
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ユーザー・ガイド TPSI2140-Q1 評価基板 (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 6月 20日
機能安全情報 TPSI2140-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA (Rev. A) PDF | HTML 2023年 6月 14日
製品概要 When to use SSR or Isolated Gate Driver PDF | HTML 2022年 8月 4日
技術記事 How to design high-voltage systems with higher reliability while reducing solution PDF | HTML 2022年 6月 8日
技術記事 How to achieve higher-reliability isolation and a smaller solution size with solid PDF | HTML 2022年 5月 9日
証明書 TPSI2140Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 2022年 4月 5日

設計および開発

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評価ボード

TPSI2140Q1EVM — TPSI2140-Q1 2mA のアバランシェ定格、1,200V、50mA、絶縁型スイッチの評価基板

TPSI2140Q1EVM 評価基板は、複数のテスト・ポイントと複数のジャンパを実装した 2 層基板であり、デバイスの機能を包括的に評価できます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
英語版 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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