有源天线系统 mMIMO (AAS)
米6体育平台手机版_好二三四和参考设计
有源天线系统 mMIMO (AAS)
概述
借助我们的集成电路和参考设计，您可创建具有更高带宽和更佳系统可靠性、可实现大规模 MIMO (mMIMO) 和波束形成的有源天线系统 (AAS)。我们的模拟前端器件采用全新的射频采样架构，而且我们的配套电源和时钟技术让您可以放心地完成 5G 设计。
设计要求
现代有源天线系统 mMIMO 需要：
- 减小信号链大小，降低复杂性，同时提供宽带宽和多个频率。
- 可在高环境温度下工作的高密度电源管理。
- 通过基于分组的前传接口实现网络同步。
探索功能和设计相似的应用
方框图
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AAS 射频采样（低于 6GHz）
Isolated -48-V DC/DC power supply
电源管理 (35)
交流/直流和直流/直流控制器（外部 FET）
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UCD3138064—具有 64kB 存储器、适用于隔离电源的高集成度数字控制器
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UCD3138128A—适用于隔离电源的高集成度数字控制器
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UCD3138A—UCD3138A 用于隔离电源的高度集成数字控制器
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LM5045—具有集成 MOSFET 驱动器的全桥接 PWM 控制器
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UCC24612—高频多模式同步整流器控制器
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UCC2897A—具有 P 沟道钳位 FET 和线路过压保护的 110V 有源钳位电流模式 PWM 控制器
AC/DC 和 DC/DC 转换器（集成 FET）
隔离式栅极驱动器
低侧驱动器
半桥驱动器
MOSFET
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CSD19535KTT—采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17573Q5B—采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17577Q3A—采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17578Q5A—采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17576Q5B—采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17581Q3A—采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
并联电压基准
放大器 (6)
模拟电流检测放大器
隔离 (5)
技术文档
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