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LM74202-Q1

アクティブ

車載、FET 内蔵、4.2V ~ 40V、2.2A、300μA 静止電流 (IQ)、理想ダイオード

製品詳細

Vin (min) (V) 4.2 Vin (max) (V) 40 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Automotive load dump compatibility, Gate ON/OFF control, Inrush current control, Overvoltage protection, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Thermal shutdown Iq (typ) (mA) 0.3 Iq (max) (mA) 0.4 FET Integrated back-to-back FET Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -10 Design support Calculation Tool, EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 2.2 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.016 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 4.2 Vin (max) (V) 40 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Automotive load dump compatibility, Gate ON/OFF control, Inrush current control, Overvoltage protection, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Thermal shutdown Iq (typ) (mA) 0.3 Iq (max) (mA) 0.4 FET Integrated back-to-back FET Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -10 Design support Calculation Tool, EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 2.2 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.016 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
HTSSOP (PWP) 16 32 mm² 5 x 6.4
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
    • 温度グレード 1:-40°C ≤ TA ≤ +125°C
    • AEC-Q100-012 短絡信頼性グレード A
    • HBM ESD 分類レベル 2
    • CDM ESD 分類レベル C6
  • 動作電圧:4.2V~40V、絶対最大定格 42V
  • –40V までの入力逆極性保護機能内蔵
  • バック・ツー・バック MOSFET を内蔵し、合計 RON 150mΩ
  • 過渡耐性:最大 55V
  • 電流制限を 0.1A~ 2.23A に調整可能
    (1A において ±5% 精度)
  • ISO7637 および ISO16750-2 試験時の負荷保護
  • バッテリへの短絡と GND への短絡から保護
  • 逆電流ブロックにより出力のバッテリ短絡から保護
  • IMON 電流インジケータ出力 (±8.5% 精度)
  • 低い静止電流:動作時 285µA、シャットダウン時 16µA
  • 可変 UVLO、OVP カットオフ、突入電流制御
  • 電流を制限するフォルトへの応答オプションを選択可能 (自動再試行、ラッチオフ、サーキット・ブレーカー・モード)
  • 使いやすい 16 ピンの HTSSOP パッケージで供給
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
    • 温度グレード 1:-40°C ≤ TA ≤ +125°C
    • AEC-Q100-012 短絡信頼性グレード A
    • HBM ESD 分類レベル 2
    • CDM ESD 分類レベル C6
  • 動作電圧:4.2V~40V、絶対最大定格 42V
  • –40V までの入力逆極性保護機能内蔵
  • バック・ツー・バック MOSFET を内蔵し、合計 RON 150mΩ
  • 過渡耐性:最大 55V
  • 電流制限を 0.1A~ 2.23A に調整可能
    (1A において ±5% 精度)
  • ISO7637 および ISO16750-2 試験時の負荷保護
  • バッテリへの短絡と GND への短絡から保護
  • 逆電流ブロックにより出力のバッテリ短絡から保護
  • IMON 電流インジケータ出力 (±8.5% 精度)
  • 低い静止電流:動作時 285µA、シャットダウン時 16µA
  • 可変 UVLO、OVP カットオフ、突入電流制御
  • 電流を制限するフォルトへの応答オプションを選択可能 (自動再試行、ラッチオフ、サーキット・ブレーカー・モード)
  • 使いやすい 16 ピンの HTSSOP パッケージで供給

LM74202-Q1 は、各種保護機能を備えた小型で機能豊富な 40V の統合型理想ダイオードです。入力電源電圧範囲が広いため、12V の車載用バッテリで動作するアプリケーションを制御できます。このデバイスは最大 ±40V の正負の電源電圧に耐え、負荷を保護できます。負荷、入力電源、デバイスの保護機能は、過電流、突入電流制御、過電圧、低電圧スレッショルドを含めて多くの機能をプログラム可能です。内蔵の堅牢な保護制御ブロックと 40V の定格により、ISO 規格パルス試験を考慮したシステム設計が簡単になります。

シャットダウン・ピンを使うと内蔵 FET のイネーブル/ディセーブルを外部的に制御でき、デバイスを低電流のシャットダウン・モードに移行させることもできます。システム状態の監視と下流負荷の制御のため、フォルト出力と高精度の電流監視出力を備えています。MODE ピンにより、電流を制限する 3 種類のフォルト応答 (サーキット・ブレーカー、ラッチオフ、自動再試行モード) のどれにでも柔軟にデバイスを構成できます。V(IN) および V(OUT) を監視し、V(IN) < (V(OUT)-10mV) のときに逆電流保護を行います。この機能は、出力がバッテリに短絡した障害時に過電圧からシステム・バスを保護し、電力障害およびブラウンアウト状況での電圧ホールドアップ要件を満たすためにも役立ちます。

このデバイスは 5mm × 4.4mm の 16 ピン HTSSOP で供給され、–40℃~+125℃の温度範囲で完全に動作が規定されています。

LM74202-Q1 は、各種保護機能を備えた小型で機能豊富な 40V の統合型理想ダイオードです。入力電源電圧範囲が広いため、12V の車載用バッテリで動作するアプリケーションを制御できます。このデバイスは最大 ±40V の正負の電源電圧に耐え、負荷を保護できます。負荷、入力電源、デバイスの保護機能は、過電流、突入電流制御、過電圧、低電圧スレッショルドを含めて多くの機能をプログラム可能です。内蔵の堅牢な保護制御ブロックと 40V の定格により、ISO 規格パルス試験を考慮したシステム設計が簡単になります。

シャットダウン・ピンを使うと内蔵 FET のイネーブル/ディセーブルを外部的に制御でき、デバイスを低電流のシャットダウン・モードに移行させることもできます。システム状態の監視と下流負荷の制御のため、フォルト出力と高精度の電流監視出力を備えています。MODE ピンにより、電流を制限する 3 種類のフォルト応答 (サーキット・ブレーカー、ラッチオフ、自動再試行モード) のどれにでも柔軟にデバイスを構成できます。V(IN) および V(OUT) を監視し、V(IN) < (V(OUT)-10mV) のときに逆電流保護を行います。この機能は、出力がバッテリに短絡した障害時に過電圧からシステム・バスを保護し、電力障害およびブラウンアウト状況での電圧ホールドアップ要件を満たすためにも役立ちます。

このデバイスは 5mm × 4.4mm の 16 ピン HTSSOP で供給され、–40℃~+125℃の温度範囲で完全に動作が規定されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
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設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LM76202-Q1EVM — LM76202 Q1 理想的なダイオードの評価ボード

The LM76202-Q1EVM allows reference circuit evaluation of TI's LM76202-Q1 and LM74202-Q1 ideal diodes. The LM76202-Q1 device is 4.5 V to 60 V, 2.23-A ideal diode and the LM74202-Q1 device is 4.5 V to 40 V, 2.23-A ideal diode.  Both devices have reverse battery protection, overvoltage, (...)

ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

LM76202XQ1 PSPICE Model

SLVMD51.ZIP (306 KB) - PSpice Model
計算ツール

SLVC789 LM76202-Q1 and LM74202-Q1 Design Calculator

Spreadsheet calculator helpful in selecting the design parameters for the desired application.
サポート対象の製品とハードウェア

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製品
理想ダイオード / OR コントローラ
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ダウンロードオプション
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)

リファレンス・デザイン

PMP41078 — GaN HEMT を搭載した高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザイン

650V のGaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) を搭載した、3.5kW の高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザインです。LMG3522R030 を 1 次スイッチとして使用すると、コンバータは高スイッチング周波数で動作します。このデザインでは、コンバータは小型化されたトランスを使用しています。アクティブ クランプ MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) の放熱性能を緩和するため、このコンバータは 2 チャネルのアクティブ クランプ回路を使用しています。
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
HTSSOP (PWP) 16 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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