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LMG2100R044

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ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET

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LMG2100R044

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製品詳細

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • 4.4mΩ ハーフブリッジ GaN FET およびドライバ
  • 電圧定格：連続 90V、パルス 100V
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
  • 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
  • 5V の外部バイアス電源
  • 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
  • ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
  • 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 33ns) およびマッチング (標準値 2ns)
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 低消費電力
  • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
  • 底面冷却用の大型 GND パッド
  • 4.4mΩ ハーフブリッジ GaN FET およびドライバ
  • 電圧定格：連続 90V、パルス 100V
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
  • 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
  • 5V の外部バイアス電源
  • 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
  • ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
  • 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 33ns) およびマッチング (標準値 2ns)
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 低消費電力
  • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
  • 底面冷却用の大型 GND パッド

LMG2100R044 デバイスは、90V 連続、100V パルス、35A ハーフブリッジ電力段で、ゲート ドライバとエンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FET が内蔵されています。このデバイスは、 1 個の高周波数 90GaN FET ドライバによって駆動される 2 つの 100V GaN FET がハーフ ブリッジ構成になっています。

GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。The LMG2100R044 デバイスは、 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ実装できます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。

LMG2100R044 デバイスは、90V 連続、100V パルス、35A ハーフブリッジ電力段で、ゲート ドライバとエンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FET が内蔵されています。このデバイスは、 1 個の高周波数 90GaN FET ドライバによって駆動される 2 つの 100V GaN FET がハーフ ブリッジ構成になっています。

GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。The LMG2100R044 デバイスは、 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ実装できます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG2100R044 100V、 35A GaN ハーフブリッジ電力段 データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 3月 27日
技術記事 GaN を採用してエレクトロニクス設計を変革する、4 種類の中電圧向けアプリケーション PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 2月 20日
技術記事 GaN 可推動電子設計轉型的 4 種中電壓應用 PDF | HTML 2024年 2月 20日
技術記事 GaN이 전자 설계를 혁신하는 4가지 중전압 애플리케이션 PDF | HTML 2024年 2月 20日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG2100EVM-078 — LMG2100 の評価基板

LMG2100 評価基板 (EVM) はコンパクトかつ使いやすい電力段で、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、またはハーフブリッジを使用する他のコンバータ トポロジとして構成することができます。この評価基板 (EVM) は、LMG2100 ハーフブリッジ パワー モジュールと、2 個の 100V 4.4mΩ GaN FET を採用しています。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

LMG2100 SIMPLIS Model

SNOM797.ZIP (87 KB) - SIMPLIS Model
ダウンロード
計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段 LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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リファレンス・デザイン

TIDA-010933 — GaN ベース、1.6kW、双方向、マイクロインバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、エネルギー ストレージ機能搭載、4 入力、双方向、1.6kW、GaN ベースのマイクロインバータを提示します。
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23340C2K — C2000™ マイコン使用、48V から 12V への変換、GaN 対応、1.1kW、1/8 ブリック パワー モジュールのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは 1 個の高性能 GaN を採用し、中間バス コンバータで高効率と小型フォーム ファクタを両立する方法を提示します。
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23340UCD — 絶縁型デジタル電源コントローラ使用、48V から 12V への変換、GaN 対応、1.1kW、1/8 ブリックのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは 1 個の高性能 GaN を採用し、デジタル電源絶縁型コントローラである UCD3138ARJAT を使用する中間バス コンバータで、高効率と小型フォーム ファクタを両立する方法を提示します。
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010042 — 400W GaN ベース MPPT 充電コントローラと電力オプティマイザのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、電力オプティマイザとして将来使用できる 12V および 24V のバッテリ用の最大電力点追従 (MPPT) ソーラー充電コントローラです。この小型のリファレンス デザインは、小および中電力のソーラー充電器の設計を対象としたもので、15V ～ 60V のソーラー パネル モジュールと、12V または 24V のバッテリで動作し、16A を超える出力電流を供給可能です。この設計は降圧コンバータを使用して、パネルの電圧をバッテリの電圧へと降圧します。ドライバを内蔵したハーフブリッジ電力段は、マイクロコントローラ ユニット (MCU) により制御され、「山登り」 (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010936 — 統合型モーター ドライブ向け、48V/16A、小型フォーム ファクタ、3 相 GaN インバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、特にモーター内蔵サーボ ドライブやロボット アプリケーションに適した、電力密度の高い 12V ～ 60V の 3 相電力段を提示します。GaN FET とドライバとブートストラップ ダイオード を内蔵した、100V、35A GaN ハーフ ブリッジである LMG2100R044 を 3 個使用しています。  
IN241A 電流センス アンプを使用して高精度の相電流センシングを実現するほか、DC リンクと相電圧も測定しているため、InstaSPIN-FOC™ のような高度なセンサレス設計の検証を実施できます。このデザインは、TI のブースタパックと互換性のある (...)
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP41068 — GaN 採用、100W Class-D オーディオ アンプのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、GaN HEMT を使用したシングルエンド Class-D 出力段を提示します。このデザインは、パワー スイッチとして LMG2100R044 を使用し、動作周波数は 1MHz です。
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WQFN-FCRLF (RAR) 16 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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