計算ツール
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
データシート
LMG3410R070
- TIのGaNプロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
- 高密度の電力変換設計が可能
- カスコードまたはスタンドアロンのGaN FETで優れたシステム性能を実現
- 低インダクタンスの8mm×8mm QFNパッケージにより設計とレイアウトが容易
- スイッチング性能とEMIを制御するため駆動強度を変更可能
- デジタルのフォルト・ステータス出力信号
- +12Vの非レギュレート電源のみで動作可能
- ゲート・ドライバを内蔵
- 共通ソース・インダクタンスが0
- MHz動作を可能にする20nsの伝播遅延
- ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
- スルー・レートを25～100V/nsの範囲でユーザー設定可能
- 堅牢な保護
- 外付けの保護部品が不要
- 応答時間100ns未満の過電流保護
- 150V/nsを超えるスルー・レート耐性
- 過渡過電圧耐性
- 過熱保護
- すべての電源レールのUVLO保護
- デバイスのオプション
- LMG3410R070：ラッチ付き過電流保護
- LMG3411R070：サイクル単位の過電流保護
ドライバおよび保護機能を内蔵したLMG341xR070 GaN電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。
あらゆる電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化するための一連の独自機能を組み込んだLMG341xR070は、従来のカスコードおよびスタンドアロンGaN FETに代わるスマート・デバイスです。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。
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技術資料
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評価ボード
LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード
LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板 (EVM) は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。
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ユーザー ガイド: PDF
ドーター・カード
LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード
LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。 この評価基板は、出力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。 この評価基板は適切な熱管理（強制空冷、低周波動作など）を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。 この評価基板は、オープン・ループ・ボードであるため、過渡測定に適していません。
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ユーザー ガイド: PDF
計算ツール
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
サポート対象の製品とハードウェア
製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
計算ツール
SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
サポート対象の製品とハードウェア
製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
リファレンス・デザイン
TIDA-010062 — 1-kW, 80+ titanium, GaN CCM totem pole bridgeless PFC and half-bridge LLC with LFU reference design
This reference design is a digitally controlled, compact 1-kW AC/DC power supply design for server power supply unit (PSU) and telecom rectifier applications. This highly efficient design supports two main power stages, including a front-end continuous conduction mode (CCM) totem-pole bridgeless (...)
リファレンス・デザイン
PMP20873 — 効率 99% の 1kW GaN ベース CCM トーテムポール力率補正（PFC）コンバータのリファレンス・デザイン
連続導通モード（CCM）トーテムポール力率補正（PFC）は、シンプルで高効率なパワー・コンバータを実現します。99% の効率を実現するためには、さまざまな設計上の詳細を考慮する必要があります。PMP20873 リファレンス・デザインでは、TI の 600VGaN 出力段、LMG3410、TI の UCD3138 デジタル・コントローラを使用します。設計概要で、CCM トーテムポール・トポロジ動作の詳細、回路設計の詳細な考慮事項、磁気素子およびファームウェア制御設計上の考慮事項を説明します。このコンバータは 100KHz で動作します。AC (...)
リファレンス・デザイン
TIDM-1007 — インターリーブ型 CCM トーテムポール・ブリッジレス力率補正（PFC）のリファレンス・デザイン
インターリーブ連続導通モード（CCM）トーテムポール（TTPL）ブリッジレス力率補正（PFC）は、バンドギャップの大きい GaN デバイスを複数使用する電源トポロジで、高効率や電源の小型化というメリットを提供します。このリファレンス・デザインは C2000™ マイコンと LMG3410 GaN FET モジュールを使用してこの出力段を制御します。アダプティブ・デッドタイム制御と位相シェディング方式により、効率を向上します。 (...)
リファレンス・デザイン
TIDM-02008 — Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU
このリファレンス・デザインは、3.kW の双方向、インターリーブ形式の連続導通モード (CCM) トーテムポール (TTPL) ブリッジレス力率補正 (PFC) 電力段であり、C2000™ リアルタイム制御コントローラと、ドライバや保護機能を統合した GaN (窒化ガリウム) である LMG3410R070 を使用しています。 この電源トポロジは、双方向の電源フロー (PFC とグリッド接続型インバータ) に対応する能力があるほか、LMG341x GaN (...)
リファレンス・デザイン
PMP41006 — C2000™ と GaN 採用、CCM トーテムポール PFC と電流モード LLC を使用した 1kW のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、ハーフ・ブリッジ LLC 段で C2000™ F28004x マイコンを使用し、一種の電流モード制御方式であるハイブリッド・ヒステリシス制御 (HHC) の実装を提示します。このハードウェアは、1kW、80 Plus Titanium、GaN TIDA トーテム・ポール・ブリッジレス CCM およびハーフ・ブリッジ PFC のリファレンス・デザインである TIDA-010062 をベースにしています。ハイブリッド・ヒステリシス制御の目的で、1 枚の独立したセンシング・カードを追加しています。このカードは、共振コンデンサを使用して電圧を再生します。この HHC (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン
PMP41043 — C2000 と GaN 採用、CCM トーテムポール PFC と電流モード LLC を使用した 1.6kW のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、ハーフ・ブリッジ LLC 段で C2000 F28004x マイコンを使用し、電流モード制御方式であるハイブリッド・ヒステリシス制御 (HHC) の実装を提示します。このハードウェアは、1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM (連続導通モード) トーテム・ポール・ブリッジレス PFC (力率補正) およびハーフ・ブリッジ LLC のリファレンス・デザインである TIDA-010062 をベースにしています。ハイブリッド・ヒステリシス制御の目的で、1 (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン
PMP21309 — HV GaN FET 搭載、24V/500W 共振コンバータのリファレンス・デザイン
This reference design is a high-frequency resonant converter reference design. The output voltage is regulated to 24 V with input voltage ranges from 380 V to 400 V using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A 97.9% peak efficiency is achieved with this design using TI’s (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN (RWH) | 32 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点