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SN74AUP1G00

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シングル、1 入力、0.8V ～ 3.6V、低消費電力 NAND ゲート

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製品詳細

Technology family AUP Supply voltage (min) (V) 0.8 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 1 Inputs per channel 1 IOL (max) (mA) 4 IOH (max) (mA) -4 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family AUP Supply voltage (min) (V) 0.8 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 1 Inputs per channel 1 IOL (max) (mA) 4 IOH (max) (mA) -4 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YFP) 6 1.4000000000000001 mm² 1 x 1.4000000000000001 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-5X3 (DRL) 5 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² 2 x 2.1 USON (DRY) 6 1.45 mm² 1.45 x 1 X2SON (DPW) 5 0.64 mm² 0.8 x 0.8 X2SON (DSF) 6 1 mm² 1 x 1
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch
  • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 µA Max)
  • Low Dynamic-Power Consumption (Cpd = 4 pF Typical at 3.3 V)
  • Low Input Capacitance (Ci = 1.5 pF Typical)
  • Low Noise Overshoot and Undershoot <10% of VCC
  • Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down Mode, and Back-Drive Protection
  • Input Hysteresis Allows Slow Input Transition and Better Switching Noise Immunity at Input (Vhys = 250 mV Typical at 3.3 V)
  • Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V
  • Optimized for 3.3-V Operation
  • 3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode Signal Operation
  • tpd = 4.8 ns Maximum at 3.3 V
  • Suitable for Point-to-Point Applications
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch
  • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 µA Max)
  • Low Dynamic-Power Consumption (Cpd = 4 pF Typical at 3.3 V)
  • Low Input Capacitance (Ci = 1.5 pF Typical)
  • Low Noise Overshoot and Undershoot <10% of VCC
  • Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down Mode, and Back-Drive Protection
  • Input Hysteresis Allows Slow Input Transition and Better Switching Noise Immunity at Input (Vhys = 250 mV Typical at 3.3 V)
  • Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V
  • Optimized for 3.3-V Operation
  • 3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode Signal Operation
  • tpd = 4.8 ns Maximum at 3.3 V
  • Suitable for Point-to-Point Applications
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II

This single 2-input positive-NAND gate performs the Boolean function Y = A × B or Y = A + B in positive logic.

This single 2-input positive-NAND gate performs the Boolean function Y = A × B or Y = A + B in positive logic.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SN74AUP1G00 Low-Power Single 2-Input Positive-NAND Gate データシート (Rev. J) PDF | HTML 2016年 12月 7日
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設計および開発

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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DSBGA (YFP) 6 Ultra Librarian
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
SOT-5X3 (DRL) 5 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 5 Ultra Librarian
USON (DRY) 6 Ultra Librarian
X2SON (DPW) 5 Ultra Librarian
X2SON (DSF) 6 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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