TPS2663
- 動作電圧範囲 4.5V~60V、絶対最大定格 67V
- 60V、RON 31mΩ のホットスワップ FET を内蔵
- 外付けの N チャネル FET で逆極性保護および逆電流ブロックをサポート
- 電流制限を 0.6A~6A に調整可能 (±7%)
- 電気的高速過渡 (IEC61000-4-4) 耐性とサージ時負荷保護 (IEC 61000-4-5) で Class-A のシステム性能
- 高速な逆電流ブロック (0.17µs)
- 可変出力電力制限を備えたバリアント (±6%)
- 可変 UVLO、OVP カットオフ、出力スルー・レート制御による突入電流制限
- デバイス起動中のサーマル・レギュレーションにより大容量および未知の容量性負荷を充電可能
- 35V と 39V の最大過電圧クランプを備えたバリアント
- パワー・グッド出力 (PGOOD)
- 過電流フォルト応答オプションとして、自動再試行とラッチオフを選択可能 (MODE)
- 2 倍のパルス過電流をサポートするバリアント
- アナログ電流モニタ (IMON) 出力 (±6%)
- UL 2367 認定
- ファイル番号 E169910
- RILIM ≥ 3kΩ
- IEC 62368-1 認証済み
TPS2663x デバイスは、31mΩ の FET を内蔵した使いやすい正の 60V/6A の eFuse です。入力逆極性フォルト保護や逆電流ブロックを必要とするシステム設計において、外付け N チャネル FET を制御するための B-FET ドライバを備えています。このデバイスには堅牢な保護機能が組み込まれ、IEC61000-4-5 産業用サージ・テストなどのシステム・テスト中に保護を必要とするシステム設計を簡素化できます。また、可変出力電力制限 (PLIM) 機能も備え、IEC61010-1 や UL1310 などの規格への準拠を必要とするシステム設計を簡素化できます。それ以外にも、可変の過電流保護、高速な短絡保護、出力スルーレート制御、過電圧保護、低電圧誤動作防止などの保護機能を搭載しています。
システム状態の監視や、下流負荷の制御のため、このデバイスはフォルトおよび高精度の電流監視出力を備えています。PGOOD を使用して、下流の DC-DC コンバータの制御をイネーブル/ディセーブルできます。MODE ピンにより、2 種類の電流制限フォルト応答 (ラッチオフおよび自動再試行) のどちらにもデバイスを柔軟に設定できます。
技術資料
設計および開発
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TPS2663-166EVM — TPS2663-166EVM
TPS2663-166EVM を使用すると、TI の TPS26633 および TPS16630 eFuse のリファレンス回路を評価できます。TPS26633 および TPS16630 デバイスは、4.5V ~ 60V、6A eFuses で、31mΩ FET を内蔵しています。
TPS26630-33EVM — TPS2663x eFuse の評価モジュール
TPS26630-33EVM を使用すると、TI の TPS2663x eFuse のリファレンス回路を評価できます。TPS2663X デバイスは、FET を内蔵した 4.5V ~ 60V、6A の産業用 eFuse であり、低電圧、過電圧、入力逆極性、過電流、突入電流に対するプログラマブル保護機能を搭載しています。
TVS-RECOMMENDATION-CALC — TVS diode recommendation tool
サポート対象の製品とハードウェア
こちらの設計リソースは、このカテゴリに属する製品の大半をサポートしています。
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parametric-filter eFuse とホット・スワップ・コントローラ
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設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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HTSSOP (PWP) | 20 | Ultra Librarian |
VQFN (RGE) | 24 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。