UCC21220
ディスエーブル・ピン採用、MOSFET と GaNFET 向けの 8V UVLO 搭載、3.0kVrms、4A/6A、デュアルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ
UCC21220
- 基本および機能絶縁をサポート
- 100V/ns を超える CMTI
- ピーク ソース 4A、ピーク シンク 6A の出力
- スイッチング パラメータ:
- 最大伝搬遅延:40ns
- 最大遅延マッチング:5ns
- 最大パルス幅歪み:5.5ns
- 最大 VDD 電源オン遅延:35µs
- 最大 18V の VDD 出力駆動電源
- 5V および 8V VDD UVLO オプション
- 動作温度範囲 (TA):-40℃~125℃
- ナロー ボディ SOIC-16 (D) パッケージ
- 5ns 未満の入力パルスを除去
- TTL および CMOS 互換の入力
- 安全関連認証:
- DIN V VDE V 0884-11:2017-01 と DIN EN 61010-1 に準拠した絶縁耐圧:4242VPK (予定)
- UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:3000VRMS (1 分間)
- GB4943.1-2011 準拠の CQC 認定 (予定)
UCC21220 および UCC21220A デバイスは、ピーク ソース電流が 4A 、ピーク シンク電流が 6A の基本および機能絶縁型デュアル チャネル ゲート ドライバです。これらのデバイスは、PFC、絶縁型 DC/DC、同期整流アプリケーションのパワー MOSFET および GaNFET を駆動するよう設計されており、高速なスイッチング性能と、100V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI) による堅牢なグランド バウンス保護機能を備えています。
これらのデバイスは、2 つのローサイド ドライバ、2 つのハイサイド ドライバ、ハーフブリッジ ドライバのいずれかとして構成できます。出力の遅延ばらつきが非常に小さいため、2 つの出力を並列接続することで、重負荷条件用に駆動能力を 2 倍にした 1 つのドライバを構成できます。
保護機能には、以下のものがあります。DIS ピンを High に設定すると 2 つの出力が同時にシャットダウンされます。INA/B ピンでは、5ns 未満の入力過渡が除去されます。入力と出力はどちらも -2V のスパイクに 200ns の間耐えます。全電源が低電圧誤動作防止 (UVLO) を備えています。電力が供給されていない場合またはフローティング状態の場合、アクティブ プルダウン保護により出力が 2.1V 未満にクランプされます。
これらの機能により、広範な電力アプリケーションにおいて高効率、高電力密度、高い堅牢性を実現します。
技術資料
設計および開発
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UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A、6A、3.0kVRMS 絶縁型デュアルチャネル・ゲート・ドライバの評価モジュール
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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SOIC (D) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。