CSD17581Q3A
- 低いQgおよびQgd
- 低いRDS(on)
- 低い熱抵抗
- アバランシェ定格
- 鉛フリー
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ
アプリケーション
- ネットワーク、テレコム、コンピューティング・システム・アプリケーション用のポイント・オブ・ロード(POL)同期整流降圧型コンバータ
- モータ制御アプリケーション
- 制御FETアプリケーション用に最適化
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この30V、3.2mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFETパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。
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技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | CSD17581Q3A 30V NチャネルNexFET™パワーMOSFET データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2016年 11月 2日 |
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設計および開発
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BQ25960EVM — BQ25960 I2C 制御、1 セル、8A、スイッチト・キャパシタ並列バッテリ・チャージャの評価基板
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サポート対象の製品とハードウェア
製品
MOSFET
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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VSONP (DNH) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。