データシート
CSD16570Q5B
- Extremely Low Resistance
- Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.
技術資料
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8 をすべて表示 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 5月 19日 | ||
アプリケーション・ノート | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024年 6月 14日 | |||
アプリケーション・ノート | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024年 3月 25日 | |||
アプリケーション・ノート | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023年 12月 18日 | |||
アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023年 12月 6日 | |||
アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |||
アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |||
アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011年 11月 16日 |
設計および開発
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サポート・ソフトウェア
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート・ソフトウェア
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア
製品
MOSFET
計算ツール
FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool
Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア
製品
MOSFET
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア
製品
MOSFET
リファレンス・デザイン
PMP41081 — C2000™ リアルタイム マイコン使用、1kW、12V、HHC (ハイブリッド ヒステリシス制御) LLC (インダクタ インダクタ コンデンサ) のリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、1kW、400V から 12V の変換を行うハーフブリッジ共振 DC/DC プラットフォームであり、F280039C マイコンを使用したハイブリッド ヒステリシス制御 (HHC) の負荷過渡性能を評価する目的で使用できます。HHC は、直接周波数制御 (DFC) と電荷制御を組み合わせた方式であり、追加の周波数補償ランプを使用して電荷を制御します。HHC の場合、内部ループを追加すると、インダクタ インダクタ コンデンサ (LLC) 段の負荷過渡応答性能を向上させることができます。
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン
PMP40586 — 1kW、デジタル制御、電流モード LLC のリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、業界初のデジタル ハイブリッド ヒステリシス制御 (HHC) ソリューションであり、12V ~ 54V を出力するサーバー PSU (電源) アプリケーションを対象にしています。このリファレンス デザインは、400V を 12V に変換する 1kW LLC 電力段で UCD3138 を使用して HHC 制御を行う利点を提示します。このデザインは、8kHz のピーク ループ帯域幅を実現しています。このデザインは、2.5A/μs のスルーレートで 0% から 100% への負荷過渡が発生したときに 500mV 未満のピーク ツー ピーク偏差、また2.5A/μs (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン
PMP23126 — アクティブ・クランプ搭載、270W/立方インチ (16.48W/立方 cm) を上回る電力密度、3kW 位相シフト・フルブリッジのリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、電力密度の最大化を目標とする、GaN ベースの 3kW 位相シフト・フルブリッジ (PSFB) です。このデザインは、複数の 2 次側同期整流 MOSFET への電圧ストレスを最小化する目的でアクティブ・クランプを採用しているので、より良好な性能指数 (FoM) を達成する、電圧定格のより低い MOSFET を複数使用することができます。PMP23126 は、1 次側にテキサス・インスツルメンツの 30mΩ の GaN、2 次側にシリコン MOSFET を使用しています。LMG3522 は、ドライバと保護機能を内蔵した上面冷却 GaN であり、Si (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン
TIDA-010087 — 100A、2 相、デジタル制御バッテリ テスタのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、C2000™ マイコン (MCU) と高精度 ADC である ADS131M08 を使用し、双方向のインターリーブ降圧コンバータ電力段の電流と電圧を高精度制御する方法を提示します。このデザインは、C2000 マイコンの高分解能 PWM (パルス幅変調) 生成ペリフェラルを活用し、±20mA 未満の電流安定化誤差と ±1mV 未満の電圧安定化誤差を達成しています。
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン
PMP40182 — 双方向バッテリ初期化システム電源ボードのリファレンス・デザイン
This reference design is a battery initialization reference design solution for automotive and battery applications. The module enables a high efficiency single stage conversion for charging and discharging the battery. This design features a 0.1% accurate current control loop using the high (...)
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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VSON-CLIP (DNK) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。