LM74722-Q1
- 下記内容で AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1: –40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
- デバイス HBM ESD 分類レベル 2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
- 3V~65V の入力範囲
- 最低 –65V までの逆入力保護
- 動作時の低い静止電流:35µA (最大値)
- 低いシャットダウン電流 (EN = LOW):3.3µA
- アノードからカソードへ 13mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作
- 外部のバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
- 30mA の昇圧レギュレータを内蔵
- 最大 200 kHz のアクティブ整流
- 逆電流阻止の高速応答:0.5µs
- 高速な順方向 GATE ターンオン遅延:0.72µs
- 調整可能な過電圧保護機能
- 適切な TVS ダイオードにより車載用 ISO7637 過渡要件に適合
- 省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給
LM74722-Q1 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御して、電力パスの ON / OFF 制御と過電圧保護を備えた理想ダイオード整流器をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 3V~65V と広いため、12V および 24V 車載用バッテリ駆動 ECU を保護および制御できます。このデバイスは最低 –65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (GATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆入力保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えることができます。高速ターンオン / オフ・コンパレータを搭載した強力な昇圧レギュレータは、たとえば、ECU が入力の瞬断にさらされたり、入力信号に最大 200kHz の周波数で AC が重畳されたりする、ISO16750 または LV124 などの車載テスト時に、堅牢で効率的な MOSFET スイッチング性能を確実に発揮します。動作中の静止電流が 35µA (最大値) と低いので、常時オンのシステム設計が可能になります。電力パスに第 2 の MOSFET を使えば、EN ピンを使用した負荷切断制御が可能になります。EN が LOW のとき、静止電流は 3.3µA (最大値) まで減少します。このデバイスは、OV ピンを使用して調整可能な過電圧カットオフまたは過電圧クランプ保護機能を備えています。
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | LM74722-Q1 車載用低 IQ 理想ダイオード・コントローラ、200kHz アクティブ整流およびロード・ダンプ保護機能搭載 データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 9月 22日 |
技術記事 | 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio | PDF | HTML | 2021年 11月 18日 | |||
アプリケーション・ノート | Basics of Ideal Diodes (Rev. B) | PDF | HTML | 2021年 10月 5日 | |||
アプリケーション概要 | Active Rectification and its Advantages in Automotive ECU Designs | PDF | HTML | 2021年 9月 29日 | |||
ユーザー・ガイド | LM7472EVM: Evaluation Module for LM74720-Q1 & LM74722-Q1 Ideal Diode Controllers | PDF | HTML | 2021年 9月 15日 | |||
Analog Design Journal | Automotive EMC-compliant reverse-battery protection with ideal-diode controllers | 2020年 9月 22日 |
設計および開発
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LM7472EVM — LM74720-Q1 と LM74722-Q1 の各理想ダイオード・コントローラの評価基板
TI の LM7472EVM 評価基板は、バッテリ逆接続保護アプリケーションで LM74720-Q1 と LM74722-Q1 の各理想ダイオード・コントローラを使用する場合の動作と性能を評価するのに役立ちます。この評価基板は、低静止電流 (IQ) と高速過渡応答を目的として昇圧レギュレータを内蔵した LM7472x-Q1 が、2 個の双方向 N チャネル パワー MOSFET を制御し、理想ダイオードを最初の MOSFET に接続して、後段である 2 番目の MOSFET を使用して出力の切り替えとパワー パスのカットオフを実施する方法を提示します。
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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WSON (DRR) | 12 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。