LM7481
- 拡張温度範囲アプリケーション向けに認定済み
- デバイス温度: -55℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
- 3V~65V の入力範囲
- 最低 –65V までの逆入力保護
- 外付けバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
- アノードからカソードへ 9.1mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作
- 低いスレッショルド (–4mV) と高速応答 (0.5µs) の逆電流検出
- 最大 200kHz のアクティブ整流
- 60mA のピーク・ゲート (DGATE) ターンオン電流
- 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
- 3.8mA 内蔵チャージ・ポンプ
- 調整可能な過電圧保護機能
- 低シャットダウン電流 (EN/UVLO = Low):2.87µA
- 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
- 適切な TVS ダイオードにより車載用 ISO7637 過渡要件に適合
- 省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給
LM74810 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御して、電力パスの ON/OFF 制御と過電圧保護を備えた理想ダイオード整流器をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 3V~65V と広いため、12V および 24V の入力電源システムを保護および制御できます。このデバイスは最低 –65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (DGATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆入力保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えます。電力パスの第 2 の MOSFET により、HGATE 制御を使用した負荷の切断 (ON/OFF 制御) と過電圧保護が可能です。このデバイスには可変の過電圧カットオフ保護機能があります。LM74810 は、リニア・レギュレーションとコンパレータ方式を使用した逆電流ブロックを採用しています。共通ドレイン構成のパワー MOSFET の場合、もう 1 つの理想ダイオードを使用した OR 接続設計のために中間点を利用できます。LM74810 の最大電圧定格は 65V です。一般的なソース・トポロジで外部 MOSFET を使用するようにデバイスを構成することで、24V バッテリ・システムで 200V の抑制されていない負荷ダンプのような拡張された過電圧過渡から負荷を保護できます。
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
LM74810EVM — LM7481-Q1 理想ダイオード・コントローラの評価基板
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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WSON (DRR) | 12 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。