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UCC21750-Q1

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車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C3
  • 最高 2121V pk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最大出力駆動電圧：33V (VDD - VEE)
  • ±10A の駆動強度と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 高速 DESAT 保護、200ns の応答時間
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
    • NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
  • 安全関連認証：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 部品認定プログラム
  • 5.7kV RMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C3
  • 最高 2121V pk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最大出力駆動電圧：33V (VDD - VEE)
  • ±10A の駆動強度と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 高速 DESAT 保護、200ns の応答時間
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
    • NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
  • 安全関連認証：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 部品認定プログラム

UCC21750-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 UCC21750-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース / シ ンク電流を供給できます。

入力側は SiO 2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kV RMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kV PK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく 、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21750-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

UCC21750-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 UCC21750-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース / シ ンク電流を供給できます。

入力側は SiO 2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kV RMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kV PK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく 、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21750-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
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技術資料

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ユーザー・ガイド UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) 2019年 9月 9日
アプリケーション概要 Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 2019年 1月 30日

設計および開発

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評価ボード

UCC21750QDWEVM-025 — SiC / IGBT トランジスタと電源モジュール向け駆動 / 保護機能評価ボード

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ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
ドライバまたはライブラリ

UCC21750-Q1-DESIGN — UCC21750-Q1 design resources

Functional Safety Support Information
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
絶縁型ゲート・ドライバ
UCC21750-Q1 — 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
リクエスト
シミュレーション・モデル

UCC21750 PSpice Transient Model

SLUM680.ZIP (90 KB) - PSpice Model
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シミュレーション・モデル

UCC21750 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM718.ZIP (6 KB) - PSpice Model
ダウンロード
計算ツール

SLUC695 — UCC217xx XL Calculator Tool

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
絶縁型ゲート・ドライバ
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回路図

UCC217xx, UCC217xx-Q1 Schematic and Layout Design Guidelines

SLUM917.ZIP (320 KB)
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回路図

UCC21750QDWEVM-054 Schematic Files

SLURB30.ZIP (323 KB)
ダウンロード
シミュレーション・ツール

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試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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